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台积电嘉义新厂投资逾万亿,引领1nm制程技术创新

来源:互联网

【台积电确定嘉义科学园区为1nm制程代工厂选址,计划总投资超万亿新台币】在半导体行业迈向更高技术门槛的趋势下,台积电宣布将其最先进的1nm制程代工厂落户于嘉义科学园区。预计的总投资额将超过万亿新台币,相当于约2290亿元人民币,这一决策显示了台积电对于扩大其高端制造能力的决心。台积电在评估多个潜在地点后选择了嘉义科学园区,考虑了各项建厂因素,并表态以台湾作为主要基地,持续探索合适的半导体建厂用地。据了解,公司已向园区管理局提出了100公顷的用地需求,计划其中40公顷用于建立先进封装厂,剩余60公顷将用于1nm制程的生产设施。在上个月的国际电子器件会议(IEDM 2023)上,台积电展示了其雄心勃勃的计划,目标是提供一个包含1万亿个晶体管的芯片封装技术路线图。这一目标与英特尔去年的规划不谋而合。台积电还在努力推进2nm级别的N2和N2P生产节点以及1.4nm级别的A14和1nm级别的A10制造工艺,预计将在2030年完成这些前沿技术的开发。此外,公司还预见其封装技术,包括CoWoS、InFO、SoIC等,将不断进步,以期在2030年前后实现构建超过1万亿个晶体管的大规模多芯片解决方案。台积电透露,1.4nm级工艺制程的研发已全面启动,并且2nm级制程预计将在2025年启动量产。在持续扩展其制造能力的同时,台积电还计划在新竹科学园区和高雄楠梓园区新建5座晶圆厂,以支持其生产需求。第一座晶圆厂已经开始动工,预计将在2025年1月前安装首批设备。同时,该园区的第二座晶圆厂也即将启动建设工程。台积电在推动尖端科技发展的同时,其生产基地的选择和投资规模无疑将对全球半导体行业产生深远的影响。
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台积电拟新建1纳米芯片工厂